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分立器件綜合參數測定儀
NIBJ-2939半導體分立器件測試儀|分立器件綜合參數測定儀
產品簡介:
該儀器充分吸收國外測試係統的特點,采用了的嵌入式計算機和優化結構、16位並行A/D和D/A、多開爾文反饋、小信號精密測試以及陣列開關結構,並選用材料製作。在係統設計、選材、、製作、調試、校驗等諸多方麵與現有同類係統相比均有較大**,從而**提高了係統的性能和性。
其特點是側重於中小功率器件、測試品種覆蓋麵廣、測試精度高、電參數測試、速度快、有的重複性和**性、很高的工作穩定性和性,很強的保護係統和被測器件保護能力。係統軟件功能**、使用靈活方便、操作簡單。係統軟件穩定、硬件故障率低,在實際測試應用中各項指標**真實達到手冊要求。
係統采用方便易學的窗口菜單界麵,在PC機窗口提示下,輸入被測器件的測試條件,測試人員即可輕鬆快捷地控製係統,完成填表編程和開發測試程序、測試器件。操作人員**具備**計算機編程語言知識,使用簡捷方便。3分鍾即可完成一種測試編程,編寫完成後輸入儀器即可測試。當然還可以在儀器下直接進行器件測試程序及條件的編寫,方便靈活。係統和測試夾具均采用多開爾文結構,自動補償係統內部產生的**壓降,**情況下測試結果的精度和準確性。
優良的、低廉的價格、周到的服務使得該係統在市場具有好的競爭實力。。
半導體分立器件測試儀特征:
1.采用脈衝法測試參數、脈寬可為300μS,國軍標的規定采用嵌入式計算機控製,實現脫機運行
2.16位並行D/A、A/D設計,測試速度快、精度高
3.采用多開爾文,係統穩定性高,測試結果準確
4.采用三保護,係統,對被測器件*損傷
5.豐富的WINDOWS界麵菜單編程和控製能力、方便的用戶信息文件、統計文件方式
6.晶體三管自動NPN和PNP 判別能力,*止選錯類型
7.二管性自動判別選擇,用戶測試二管不注意性
9.***自檢/自校準能力
10.測試係統需要的其它多種數據後處理能力
半導體分立器件測試儀參數:
主電壓:200V
主電流:10mA
測試速度:器件不同速度也不同
控製1電壓:20V
控製1電流:10A
控製2電壓:20V
控製2電流:1A
電壓分辨率:1mV
電流分辨率:1nA
試器件種類
測試功能*加**,可測試八類中、小功率的半導體分立器件:
二管
穩壓(齊納)二管
晶體管(NPN型/PNP型)
可控矽整流器(普通晶閘管)
雙向可控矽(雙向晶閘管)
MOS場效應管(N-溝/P-溝)
結型場效應管(N-溝/P-溝,耗盡型/增強型)
光電耦合器
上述所列類別包括各中、小功率半導體分立器件及其組成的陣列、組合、表貼器件。
測試方法行業總規範、相應的標準、**器件測試標準。
提供上述**器件測試所用的不同封裝形式的測試夾具和測試適配器。
可以定做**陣列、組合封裝、表貼器件的測試夾具。
幫助用戶開發**器件的測試程序。
漏電參數:IR、ICBO、LCEO/S、IDSS、IDOFF、IDGO、ICES、IGESF、IEBO、IGSSF、LGSSR、IGSS、IR(OPTO)
擊穿參數: BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)
BVDSS、VD、 BVCBO、VDRM、VRRM、VBB
BVR、VD+、VD-、BVDGO、BV Z、BVEBO、BVGSS
增益參數:hFE、CTR、gFS
導通參數:VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode) 、VGSTH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDSS、IDON
關斷參數:VGSOFF
觸發參數:IGT、VGT
保持參數:IH
鎖定參數:IL
混合參數:rDSON、gFS
測試盒說明:
測試盒共有五種:
1.可測二管、穩壓二管;
2.可測封裝為TO-92、TO-220等三個管腳在一個平麵上的三端器件;
3.可測封裝為TO-3及封裝為F1、F2、F3、F4三端器件;
4.可測三個管腳分三角形排列,且器件殼體為小圓型的小功率三端器件;
5.可測DIP4、DIP6、DIP8封裝的光電耦合器;
半導體分立器件測試儀測試夾具:
測試夾具有三根夾子線,與測試盒1配合使用,用來測試器件形狀**,不能使用上述五種測試盒上的插座,則使用此三個夾子線直接夾在器件的管腳上進行測試。
半導體分立器件測試儀基本配置:
分立器件綜合參數測試儀 1台
常用測試夾具 5個
測試夾線 1套
半導體分立器件測試儀選用配置:
主控PC機 1台
其它測試夾具
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