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    NXTR-1A/1B薄膜方塊電阻測試儀_方阻儀
    方阻儀簡介：
    薄膜方塊電阻測試儀GB/T 1551-2009 《矽單晶電阻率測定方法》、GB/T 1551-1995《矽、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》、GB/T 1552-1995《矽、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》並參考美國A.S.T.M 標準。
    薄膜方塊電阻測試儀主要用來測量矽外延層、擴散層和離子注入層、導電玻璃（ITO）和其它導電薄膜的方塊電阻。由電氣測量部份（簡稱：主機）、測試架、四探針頭及**測量軟件組成。儀器采用四探針單電測量法適用於生產企業、高等院校、科研部門，是檢驗和分析導體材料和半導體材料的一種重要的工具。本儀器配置**測量裝置可以測試不同材料。液晶顯示，*需人工計算，並帶有溫度補償功能，電阻率單位自動選擇，儀器自動測量並根據測試結果自動轉換量程，*需人工多次和重複設置。采用高精度AD芯片控製，恒流輸出，結構合理、輕便，運輸、使用方便；選配：配備軟件可以由電腦操控，並保存和打印數據，自動生成報表；本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時顯示液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度係數、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導率，配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。
    方阻儀使用範圍：
    適用於西門子法、矽烷法等生產**多晶矽料的企業
    薄膜方塊電阻測試儀適用於物理提*生產多晶矽料生產企業
    適用於光伏拉晶鑄錠及 IC 半導體器件企業
    適用於科研部門、高等院校及需要**量程測量電阻率的企業
    方阻儀特點：
    可測方塊電阻：適合檢測矽芯，檢磷棒，檢硼棒，籽晶等圓柱晶體矽
    適用於西門子法、矽烷法等生產**多晶矽料的企業
    適用於物理提*生產多晶矽料生產企業
    適用於光伏拉晶鑄錠及 IC 半導體器件企業
    適用於科研部門、高等院校及需要**量程測量電阻率的企業
    測試量程大，**電阻率測試儀
    主機配置了“小遊移四探針頭”了一起數據的準確性
    儀器消除了珀爾帖效應、塞貝克效應、少子注入效應等負效應的影響，因此測試精度**提高
    測量精度高，除了具有厚度修正功能外、還有溫度修正、圓片直徑修正等功能
    *特的設計能**消除測量引線和接觸電阻產生的誤差，***測量的高精度和寬的量程範圍
    雙數字表結構使測量*，操作*簡便
    具有**的測試數據查詢及打印功能
    測量係統可實現自動換向測量、求平均值、值、值、平均百分變化率等
    四探針頭采用進口紅寶石軸套導向結構，使探針的遊移率減小，測量重複性**提高
    采用進口元器件，留有*大的係數，**提高了測試儀的性和使用壽命
    測量電流采用高度穩定的**恒流源（**之五精度），不受氣候條件的影響
    具有正測反測的功能，測試結果的準確性
    具有抗強磁場和抗高頻設備的性能
    方阻儀測量範圍：
    10-5 ------1.9*105Ω?cm
    10-4------1.9*104Ω?cm
    可測矽棒尺寸： 長度300mm；直徑20mm（**按用戶要求*改）
    輸出電流：DC0.001-100mA  五檔連續可調   測量範圍：0-199.99mV
    靈  敏  度： 10μA
    輸入阻抗：1000ΩM
    電阻測量誤差：各檔均低於±0.05%
    供電電源：AC 220V ±10% 50/60Hz.
    推薦使用環境：溫度：23±2℃   相對溫度：≤65%
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