晶體三管正偏二次擊穿、熱阻抗測試係統產品簡介：
晶體三管正偏二次擊穿熱阻抗測試儀可測試**型號中、大功率晶體管的二次擊穿電壓和熱阻抗參數。係統軟件基於微軟視窗係統的操作環境，使您輕鬆掌握測試。
本係統采用計算機自動控製，為用戶提供友好直觀的操作界麵，測試數據處理方便，自動繪製PD（熱阻功率）曲線和二次擊穿曲線，並求兩曲線的交點，在該交點及其附近靠內一點測試器件的熱阻值。
晶體三管正偏二次擊穿、熱阻抗測試係統功能特點：
1.正偏二次擊穿電壓測試可測試NPN型晶體三管，熱阻抗測試可測試**型號中、大功率晶體管測試方法靈活、開放；
2.靈活的M值測試，可控製測試過程中不測試M值而自行輸入M值；
3.可定時測試，穩態熱阻測試也可定特定時間內溫差測試；
4.加熱電源可遙控也可手動；
5.采用**微機控製，基於Windows係統的控製軟件，具有友好的人機交互界麵，窗口填表式編程，測試結果以表格及圖形曲線方式顯示，使您輕鬆掌握測試。
晶體三管正偏二次擊穿、熱阻抗測試係統規格參數：
加熱電壓源：0-300V 負載能力：3.5A，可根據用戶需要進行功率擴展，到10A
加熱電流源IH：
電流量程       分辨力     精度
-250mA-250mA   122uA     ±(610uA+2%set)
±(250mA~2.5)A 1.22mA    ±(6.1mA+2%set)
±(2.5A~3.5)A  12.2mA    ±(61mA+2%set)
測量電流源IM
電流量程：-250mA~250mA
分 辨 力：122uA
精    度：±(244uA+0.5%set)
VBE電壓表：
電壓量程        分辨力    精度
-312.5~312.5mV  152.5uV  ±(1.22mV+1%Rdg)
±(312.5~625)mV 305uV    ±(1.22mV+0.8%Rdg)
±(0.625~1.25)V 0.61mV   ±(2.44mV+0.3%Rdg)
±(1.25~2.5)V   1.22mV   ±(2.44mV+0.25%Rdg)
VCE電壓表
電壓量程          分辨力     精度
-8.125~8.125V     3.97 mV   ±(7.94mV+0.25%Rdg)
±(8.125~16.25)V  7.94mV    ±(15.88mV+0.25%Rdg)
±(16.25~32.5) V  15.88mV   ±(31.76mV+0.25%Rdg)
±(32.5~65) V     31.76mV   ±(63.52mV+0.25%Rdg)
±(65~130) V      63.52mV   ±(127.04mV+0.25%Rdg)
±(260~300) V     127.04mV  ±(254.08mV+0.25%Rdg)
加熱脈衝寬度
脈寬：1ms 2ms 5ms 10ms 20ms 50ms 100ms 200ms 500ms
      1s 2s 5s 10s 20s 50s 100s 200s 500s 1000s 2000s 5000s
（1s以上的測試需要測試盒使用**散熱器）
測量範圍：10℃~125℃
精        度：±0.5℃
環境溫度：10℃~35℃ 開機到測量M 值，環境溫度變化應在±2℃以內
光        照：應避免光線直射測試盒及主機
熱        源：應避免測試盒及主機附近有較強熱源
相對濕度：≤80%(40℃)
大氣壓力：86~106KPa
供電電壓：220V±10%
供電電流：50Hz±5%
額定功率：1.5KW
尺寸：550×535×220mm
總        重：50kg
預熱時間：30分鍾